最近，英睿达所推出新款固态硬盘BX200引起了外界的关注。由于采用了TLC NAND闪存，这款固态硬盘的售价并不高，且厂商所展示的数据会让你觉得该系列的性能和其他固态硬盘没有区别。但事实真的如此吗？在大多数情况下，TLC固态硬盘的表现都相当不错。但在复制大量数据时，硬盘的写入速度会出现下降。虽然部分硬盘的速度下降相对缓和，但最近的许多TLC固态硬盘下降幅度非常之大，甚至会让你怀疑硬盘是不是坏了。
闪存问题
在过去的几年里，固态硬盘对计算机系统性能的提升是我们有目共睹的，它不仅提供了超快的随机存取时间，连续写入速度也要比机械硬盘快上三倍以上——如此一来，用户在处理大文件和备份时就更加轻松了。
但是，如此的性能优势一般只有SLC/MLC NAND固态硬盘才具备，TLC NAND并不在其列。TLC可存储3bit/cell，同体积下可带来更高的数据密度和更大存储空间，但它的持续写入性能相对较慢——在某些情况下，这个问题十分明显。
为了解决TLC的写入性能问题，厂商们想出了几种办法。由于3bit的写入速度较慢，厂商会在TLC当中加入SLC——或者将TLC当作SLC来对待——并使用DRAM作为更快速的缓存。只要写入的数据量在缓存的范围之内，那你的确可以获得厂商所宣称的性能速度。
但如果数据超过缓存大小，便会被直接写入到TLC上。在这种情况下，固态硬盘的速度会受到相应的影响。就拿三星的840和850 EVO来说，两款TLC固态硬盘的速度下降相对缓和——写入20GB文件会从400Mbps下降到300Mbps。
但在其他情况下，写入速度的下降就显得有些让人瞠目结舌了。正如下图所示，英睿达BX200的的连续写入性能下降幅度非常惊人，当缓存不堪重负之后，它的写入速度从400Mbps下降到了80Mbps。
此外，容量更小的固态硬盘缓存也更小，用户也就会更快遇到这个问题。就拿BX200来说，其950GB版拥有12GB缓存，480GB版拥有6GB缓存，240GB版仅有3GB缓存。正如你在上图中所看到的，480GB和960GB版BX200的速度下降正好就出现在自己的缓存节点上。且无论是哪一款TLC固态硬盘，情况都是如此。
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