虽然是高通目前的旗舰处理器，不过骁龙810因为发热问题可谓饱受诟病，而在这种情况之下，高通下一代旗舰处理器骁龙820也更加令人关注。而根据之前的消息，骁龙820将采用三星14nm FinFET制程工艺，来实现功耗发热和性能之间的平衡。
目前三星14nm FinFET制程已经比较成熟，并且已经应用在了Exynos 7420处理器中。但根据最新的消息，虽然高通一开始计划使用三星14nm FinFET制程工艺来制造骁龙820，但可能最终还会推出另一个采用10nm FinFET制程的版本。今年年初三星曾宣布10nm FinFET制程工艺的相关参数已经确定，并将于今年年底开始试产，大规模量产则要等到明年年底。而考虑到骁龙820将会在今年年底至明年年初进入大规模生产阶段，因此采用10nm FinFET制程工艺并不是没有可能。
不过值得一提的是14nm FinFET和10nm FinFET的工艺分别使用的是LPE和LPP版本，分别代表Low Power Early和Laser-Produced Plasma。其中LPE为早期版本，功耗和封装面积都有进步，但相对不成熟，而LPP则是的升级版，性能更加出色。由于三星14nm FinFET工艺已经成熟，而10nm FinFET工艺还有待进步，因此采用14nm FinFET LPP搭配10nm FinFET LPE的策略也比较合理。
而高通方面并没有透露多少关于的详细信息，只是宣布骁龙820将采用非平面FinFET工艺，从目前的市场情况来看，三星14nm和10nm制程工艺以及台积电16nm制程工艺均属于此范围。
除了CPU部分之外，骁龙820还将搭载性能更强的Adreno 530 GPU以及一颗全新的DSP，并且整个反恶意软件功能。
苹果在A9处理器也上采用了台积电16nm和三星14nm两种制程工艺，引起了不小的风波，而如果高通推出两个版本的骁龙820的话，或许也会面临相当大的舆论压力。而且如果发热问题仍然不能得到很好的解决的话，骁龙820的市场处境不但不会有所改观，甚至情况还会更糟，这对手机厂商和高通来说都不是什么好事。
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