高通今日宣布，其子公司Qualcomm Technologies, Inc. 现已推出下一代快速充电技术Qualcomm®Quick Charge™3.0。作为快速充电技术的第三代产品，Quick Charge 3.0在同类产品中首次采用最佳电压智能协商（Intelligent Negotiation for Optimum Voltage，INOV）算法。
INOV是由Qualcomm Technologies开发的全新算法，旨在帮助便携设备具备选定所需功率电平的能力，以在任意时刻实现最佳功率传输，且最大化效率。Quick Charge 3.0能在大约35分钟内将一部典型的手机从零电量充电至80%，而不具备Quick Charge的传统移动终端通常需要大致一个半小时的时间。
借助INOV和其他先进技术的Quick Charge 3.0，可实现比Quick Charge 2.0最高达38%的效率提升，同时还采用其他方法帮助保护电池寿命周期。此外，当与Qualcomm Technologies最新的、先进并联充电配置一起使用时，Quick Charge 3.0可以实现：
与Quick Charge 2.0相比，帮助提高快速充电速度最高达27%，或减少功率损耗最高达45%
比Quick Charge 1.0快2倍的充电速度
Quick Charge 3.0现已正式推出，并将在部分Qualcomm®骁龙™处理器中以选配形式提供，包括骁龙820、620、618、617和430处理器；搭载这一技术的移动终端预计将于明年上市。Qualcomm骁龙处理器是Qualcomm Technologies, Inc.的产品。
Quick Charge 3.0还带来了诸多方面的提升：在Quick Charge 2.0的基础上增强了灵活性，特别是在充电选项方面。Quick Charge 2.0提供5V、9V、12V和20V四档充电电压，Quick Charge 3.0则以200mV增量为一档，提供从3.6V到20V电压的灵活选择。这将允许手机获得恰到好处的电压，达到预期的充电电流，从而最小化电量损失、提高充电效率并改善热表现。
Quick Charge 3.0能够与Quick Charge之前的版本及连接器（包括USB Type-C）前向和后向兼容，并且拥有同样的超快充电速度，以及独立电路，为OEM厂商提供更灵活的选择，此外还有帮助达到质量和安全标准的UL认证。
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