腾讯数码讯（编译：Patrick）在最新一代旗舰机型Galaxy S6和Galaxy S6 Edge上，三星不仅使用了采用14nm制程工艺的Exynos 7420八核处理器，而且还使用了LPDDR4 RAM和符合UFS 2.0标准的闪存芯片。与目前普遍使用的eMMC 5.0/5.1标准相比，UFS 2.0标准不仅速度更快，而且还支持读写数据同步进行，满足了移动设备对数据交换的更高要求。
虽然闪存似乎不如屏幕、处理器、RAM等硬件配置来得重要，但是连续存取速度对大型文件的存取还是有着很大的影响，尤其是在处理高清视频、无损音乐和游戏等任务时，通常都要涉及到闪存上短时间大量数据的移动。而为了验证UFS 2.0闪存究竟有多大提高，近日AndroBench也对Galaxy S6进行了测试，结果证明Galaxy S6在存取速度上与其它旗舰机型相比有着相当大的优势。
虽然测试结果并不完全代表日常的性能表现，但当涉及到大量数据的存储时，UFS 2.0闪存可以说完爆eMMC 5.0闪存。
不仅如此，LPDDR4 RAM更是为Galaxy S6的数据交换性能锦上添花。与上一代LPDDR3 RAM相比，LPDDR4 RAM的性能有最多50%的提升。与此同时，更大的内存带宽也允许RAM与处理器之间实现更快的数据交换速度。
当运行一些大量占用RAM的应用时，由于需要将大量数据在短时间内存入RAM，因此LPDDR4 RAM的优势便体现出来了。比如，在录制120fps或更高帧数的慢动作视频时，相机会产生大量需要存入RAM的图片数据，而如果带宽更大的话，这意味着可以拍摄分辨率更高的慢动作视频。
Galaxy S6内置的LPDDR4 RAM的频率为1552MHz，如果Exynos 7420依然采用Exynos系列处理器双通道32位标准设计的话，带宽将为24.8GB/s。与之相比，采用LPDDR3 RAM的骁龙801处理器和Exynos 5433处理器的带宽仅分别为12.8GB/s和13.2GB/s，而同样采用LPDDR4 RAM的骁龙810的带宽则与Exynos 7420基本持平。不过和UFS 2.0闪存一样，LPDDR4 RAM的优势仅在某些情况下才能体现出来，并不是与性能成简单的正比关系。
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